Sprungmarken

Servicenavigation

Hauptnavigation


Sie sind hier: > Lehre > Vorlesungen > Fortschrittliche Prozesse der HLT

Bereichsnavigation

Hauptinhalt

Fortschrittliche Prozesse der Halbleitertechnologie (2V / 1Ü)

Vorlesungstermine im Wintersemester 2017 / 2018

 

Dozent: Dr.-Ing. Klaus Kallis

Tag
Uhrzeit
Ort
Beginn
Fachrichtung
Studienabschnitt
Dienstag 14:00 -15:30** CT-G3, Raum 325 17.10.2017 ET und IT Modul 3-32, Master, 3. Semester

 

** = Zeiten geändert am 20.11.2017 !!

 

Übungen Fortschrittliche Prozesse der Halbleitertechnologie

 

Übungsbetreuung: Dipl.-Phys. Friederike Giebel

Tag
Uhrzeit
Ort
Beginn
Fachrichtung
Studienabschnitt
Dienstag 15:45-16:30 CT-G3, Raum 325   ET und IT Modul 3-32, Master, 3. Semester

 

Downloads zur Vorlesung und zu den Übungen finden Sie demnächst hier.

A k t u e l l e s


 

 

 

Lehrinhalte:

  • Moderne MOS-Prozesse: LDD-Transistoren, LOCOS-CMOS-Prozess, SOI-Prozesse
  • Reinigungsverfahren / Reinraumbedingungen
  • Vereinzeln/Packaging/ Bonden
  • Widerstände, Dioden, EEPROM
  • Bipolar- und BiCMOS Prozesse
  • Probleme bei der Herstellung von Sub-100 nm-MOS-Transistoren
  • Isolationstechniken
  • Techniken zur Mehrlagenverdrahtung und Planarisierungstechniken
  • Neue Werkstoffe für moderne Planartechnologieprozesse
  • Nanostrukturierungstechniken
  • Monolithisch integrierte Systeme

Lehrbuch:
U. Hilleringmann: Silizium-Halbleitertechnologie, Vieweg * Teubner, 2008
J. D. Plummer, M. D. Deal, P. B. Griffin: Silicon VLSI Technology, Prentice Hall 2000
G. Schumicki, P. Seegebrecht: Prozesstechnologie, Springer 1991

Voraussetzungen:
Ausreichende Kenntnisse in Werkstoffe der Elektrotechnik, Halbleiterbauelemente, Halbleitertechnologie und Physik

 

Modultyp:

Wahlpflichtmodul im Masterstudiengang "Elektrotechnik und Informationstechnik", Studienschwerpunkt
"Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik" sowie "Robotik und Automotive"


Prüfungen:

Das Modul wird mit einer Modulprüfung in Form einer mündlichen Prüfung abgeschlossen.